单向可控硅的主要参数单向可控硅的结构和特性一、结构和符号：1、结构：四层半导体A 阳极J1N1N1三个PN结控制极J2阳极A：从P1引出P2P2GJ3N2N2三个电极阴极K：从N2引出控制极G：从P2引出图形符此电路差不多。把两个三极管结成可控硅，控制电流小维持电流小。耐压符合要求。
╯﹏╰ 亲，一个单向可控硅阳极电流小于维持电流时，就会触发关断保护功能，为了防止继电器出现故障，设备就会自动关断。亲，可控硅是以由金属氧化物半导体（MOS）构成的是2a600v的单向可控硅，其它参数有：最大维持电流5ma、触发电流10-100ua、触发电压0.5-0.8v、通态峰值电压（最大正向压降）1.3v
(5)维持电流Ⅰh 在室温和控制极短路的条件下，能够维持单向可控硅继续导通所需的最小阳极电流称为维持电流Ⅰh。如果单向可控硅的阳极电流小于此值时，单向可控七、单向可控硅参数_维持电压IH 在室温和控制极断路时，可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流，一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电
单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有七、单向可控硅参数_维持电压IH 在室温和控制极断路时，可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流，一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值，可
