可控硅的性能可以通过多种测量方法来衡量，包括电容、电阻、电流、电压、功率、频率等。其中，电容和电阻是可控硅性能最重要的测量指标，它们可以反映可控硅的电可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K,灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏.对于双向可控硅，闭合开关K,灯应发亮，断开K,灯应不息灭.然后将电池反接，重复
测量可控硅好坏的方法如下：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十亲亲您好，可控硅的好坏可以通过以下几种方法来测量：1、电阻测量：可控硅的电阻值应小于等于规定的最大电阻值，否则表示可控硅的质量不够好；2、电容测量：可控
∩△∩ 单相可控硅怎么用万用表测量好坏？1、可控硅的管脚判别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。晶闸管管可根据判断可控硅控制极（G）与阴极（K或A2）性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小，将万用表置于合适的电阻档
通过判定可控硅的极性同时也可定性判定出可控硅的好坏。如果在测试中任何两极间的正反电阻都相差很小，其阻值都很大，说明G、K之间存在开路故障；如果有两极间的正反向电阻都很小，并且在讲晶闸管怎么测好坏之前，先给大家讲一下晶闸管(可控硅)极性的判断方法。晶闸管(可控硅)极性判断的方法1、根据封装形式(外观) 普通晶闸管(可控硅)的极性可以根据其封装形式来判断
