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晶闸管和mos管,mos igbt

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一、晶闸管1、别名:可控硅是一种大功率半导体器件,常用做交流开关,触发电流>50毫安2、特点:体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大、耐高压、耐大电流、大功率3、主要应用MOS管的区别主要体现在作用和区别上。两者都可以作为功率开关来使用,但是MOS管还具有信号放大作用,而可控硅不具有信号放大作用。MOS管作为开关时开关速度要高于可控硅。从

单向晶闸管是PNPN闪层结构,形成三个PN结,具有阳极人、阴极K和控制极G三个外电极。单向品闸管可等效为PNP,NPN两个晶体管组成的复合管。在阳极A之间加上正电压后,晶闸管并不导通。只可控硅能不能代替MOS管呢?它们两者之间虽然封装形式差不多,都是三个脚位引出,但工作原理完全不一样的。晶闸管的特性可分为导通和关断两种状态,二者均随阳极电压、电流和控制极电

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MOS管的特性、工作原理,与真空电子管类似:栅极没有电流,即没有输入电流,具有高输入阻抗;漏极电流由栅极电压控制,是电压控制器件……半导体三极管是两个P-N结晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压

综上,场效应管和晶闸管的区别就是:场效应管既可以放大信号,亦可以作为高速电子开关控制负载的通断,同时还可以实现调速、调光、调温等功能,而晶闸管不能用来构成放大器放大信MOS管是单极性器件,晶闸管是半控器件。晶闸管的正极相当于MOS管的漏极,门极相当于MOS管的栅极,阴极相当于MOS管的源极。控制是有所区别的,晶闸管是半控型器件,MOS管是全控型器件。金属氧化物半导

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