符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。4 晶闸管(可控硅)的管脚判别：晶1、若测得T2-T1,、T2-G 之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G 之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；2、如果测得T1-G 之间的正反向电阻很
1，可以在工作的时候用一个红红外线测温枪，检测工作的每组可控硅的温度，如果有软击穿的可控硅，它的温差会很大，就是所谓的电力不平衡。2，有时功率开大了，就晶闸管(可控硅)极性判断的方法1、根据封装形式(外观) 普通晶闸管(可控硅)的极性可以根据其封装形式来判断。螺栓型普通晶闸管(可控硅)的螺栓端为阳极A,较细的引线端为栅极G,较粗的
1、电压击穿，可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见，其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚
,万用表读数应不变，保持在10Ω左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干1、过压击穿：过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在
∩ω∩ 1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接如果想要判断可控硅是否已经被击穿损坏，工程师可以使用万用表选电阻R×1挡，然后将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极
