导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG2基极的电流已不只是初始的Ib2,而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib2),这一电流远电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说，对于一个uA级的信号，就需要放大后才能驱动一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。功率放大就
∩▂∩ 可控硅的触发主要取决于温度、供电电压、栅极电流等不同的变量。当向可控硅施加电压时，如果阳极端可以与晶闸管(Thyristor)是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电
没听说过这个说法，电流大小只关系到它容不容易导通，可控硅只要导通了在其导通阶段下其效果都是一样的，个人这么认为的。导通角靠触发时电压的相位（角度）产生上述现象的原因是：加在控制极上的信号不是触发信号，而是正弦波.对要求不高的控制对象也行.
∩▂∩ 单向可控硅的结构和工作原理单向可控硅的结构和工作原理一结构和符号：一结构和符号：1 1结构：结构：四层半导体N1P2N2P1J1J2J3三个PN结三个电极阳极A:从P1引出阴极K:从N2引常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。⒊ 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。4,在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极
