2、压敏电阻本身有反应时间，该反应时间必须要小于可控硅的最大过压脉冲宽度，而且压敏电阻的过压击穿电压值有一定的离散性，实际的和标识的值有一定的误差。3、击穿的可能性好多种，过电流，过电压3.过热故障：这里的过热击穿是指在工作电流不超过晶闸管的额定电流的条件下的热击穿。造成这种故障的主要原因是晶闸管的辅助散热装置无法正常工作，这导致了可控硅芯片的高温。对于
ˇ﹏ˇ 1、过压击穿：过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定要接入RV BO时，我们可以通过提高结温(J 2 )来开启可控硅（SCR）。在特定温度下，结的反向偏压会击穿器件
2. 过压率过大：在控制可控硅是，过压率在1.5倍以上，过流率在2倍以上，都容易导致击穿。3. 触发延时过大：可控硅在控制防止出现击穿时，需要及时准确地发出指令，控过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定
在这种状态下，可控硅表现为典型的二极管。在这种反向偏置条件下，只有反向饱和电流流过器件，如反向偏置二极管的情况，在特性曲线中用蓝线表示。该晶闸管还表现出超出反向安全电压限制原因：当二次侧负载(加热体)断路时，会瞬间产生高压，而感应到一次侧，高电压则冲击到SCR模块触发角而导致短路之现象。4.可控硅底板温度超过80度，散热不良导致可
1、电压击穿可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏电流损可控硅作为变频器之内不可缺少的主要配件之一已经广为人知，那么可控硅击穿的主要原因有那3点呢。下面就来为大家讲解下：1、过压击穿：过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅
