导通电压是指锗二极管开始传导电流所需的最小正向偏压。它的值取决于器件的特性和工作温度，通常在0.2V至0.4V之间。与硅二极管相比，锗二极管的导通电压较低。2一般硅管的死区电压约为0.5伏，锗的死区电压约为0.2伏，该电压值又称门坎电压或阈值电压。2)当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电场几乎被抵消，二极管呈现的
锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区电压为0.1V左右；硅二极管导通电压为0.5V-0.8V,一般取0.7V,死区电压为0.5V左右。锗二极管与硅二极管有何差别硅锗二极管的死区电压一般在0.1V到0.3V之间，比硅二极管的死区电压要小。锗二极管的死区电压也受到温度的影响，温度越高，死区电压越小。锗二极管的死区电压对于锗二极管的应用非
˙﹏˙ 锗二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到，一般导通后的压降按0.2V计算；硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V,通后的压降按0.7V计算。锗二极管的导通电压一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。下面是1N4
锗二极管的死区电压一般在0.2V到0.5V之间，具体值取决于锗二极管的型号。特性与应用锗二极管(DO-7玻璃封装) 1N60P(2-1K60)VR:40V,Cj:1pF; 1N60(1K60)VR:40V,C百度试题题目锗二极管的死区电压是( )。2 分) A. 0.1~0.2V B. 0.5V C. 0.7V D. 0.6V 相关知识点：试题来源：解析未作答得分：0分参考答案：A反馈收藏
通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管锗材料二极管的死区电压为锗材料二极管的死区电压是指在正向偏置情况下，当二极管导通之前，需要加上的电压，即是二极管死区电压(也称开启电压)。对于锗材料二极管来说，其死区
