6MBI15S-120-50 变频器IGBT 可控硅模块富士功率半导体驱动电路是集成电路的一个重要子类，功能强大，用于IGBT的驱动IC除了提供驱动电平和电流，往往带有驱动的保护功能，包括退饱和可控硅模块的基本参数，额定通态平均电流量厶指的是可控硅MM3Z6V2T1G导通时所容许通过的最大交流正弦电流量的有效值。应当选用用厶高于线路运行电流量的可控硅。
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∪ω∪ 因此，模块应选择在最大导通角的65%以上工作，及控制电压应在5V以上。7、可控硅模块规格的选取方法考虑到可控硅产品一般都是非正弦电流，存在导通角的问题并且可控硅模块的过电流保护当变流装置内部元件损坏、控制或触发系统发生故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、负载过载等，均会引起装
这要看你所用的可控硅是什么形式的，全集成的仅需要工业信号即可，电流输入型最大为20mA，电压输入型的最小输入电阻200KΩ。非集成的多达数百mA。其输出电流都可达可控硅模块的触发电流：0.01-30ma导通时长<80us 可控硅模块的关断时长：2.5us瞬时电流：9.5A 3CTS5(小电流双向管)电流：5A触发电压：《3V 触发电流：50ma瞬时电流：42
