1.场效应，V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新兴的高效功率开关器件。MOS管，金属-氧化物半导体场效应管属于绝缘栅型。2. MOS管与场效应管的区别，场效应管(Field Effect Trans场效应管和mos管的区别但栅极的正电压会将其下面p区中的空穴推开而将p区中的少子电子吸引到栅极下面的p区表面当ugs大于ut开启电压或阈值电压时栅极下p区表面的电子浓度将超过空穴浓型半导体反型成
一般说来，双极性三极管不能直接代替MOS管，这是因为它们的控制特性不一MOS管是电压控制的器件，而双极性三极管是电流控制的器件。场效应管的控制电路是电压型的，双极性三极管不能直接1、场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。2、MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。二、特性不同1、场效应：不仅继承了MOS场效
所以，要实现这点，结型场效应管和MOS型采用不同的办法实现了这个效果，导致了其特性曲线不同。1. 结型场效应管，利用栅极和沟道间的一个反向二极管，并在二极管上施加反向电压，利用二极导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET (Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和
一、主体不同1、场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。2、MOS管：金属-氧化MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为M 2006-04-16 23:41:35 详解MOS场效应管的检测方法，简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);
名称主板mos场效应管用途锂电池均衡仪工艺SGT/Trench沟槽技术特色服务FAE 可支持耐压范围-100~100 QQ 805525942 封装TO/SOT/DFN/SOP TEL 153-570-46MOS管：金属-氧化物-半导体场效应管属于绝缘栅类型。 第二，特性不同 1.场效应：MOS FET具有输入阻抗(108W)、低驱动电流(约0.1A)、高耐压([敏感词]耐压1200V)、工作电流(1.5A
