说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结，有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的，当A、K之间已呈故障开路状态时，则无法测出好坏。有的G、K间电阻值极小，也难以判单向可控硅测量好坏方法：用万用表测可控硅的好坏。做法：用电阻“x1k”档，正、反向测量“A”、“K”之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻"x10Ω档测量"G、K之间的电阻，从十几欧姆至百
图把实物做出来了，拉高G极电位后，实际测试可以发现A和K之间竟然有了导通压降(参考下图),在0.7V左右，也就是说现在这个可控硅A与K之间就相当于二极管的阳极与阴极之间；如果让G极悬空1.判别各电极根据普通可控硅的结构可知，其门极G与阴极K极之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结。因此，通过用万用表R×100A或R×1k档测
此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可众所周知，可控硅K、G电阻越小耐压越高，但我一直有一些相关问题不清楚：1.为什么测量K、G之间无非
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