IRF9540N HEXFET ® Power MOSFET PD - 91437B Parameter Max.Units I D @ T C = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ -10V -23I D @ T C = 100°C Continuous Drai型号原装IRF9540N 场效应管F9540N 100V18A P沟亲本店近做活动进行中，部分商品有包邮和打特价，优惠不断！注明：1:购满100元享受包邮，金额不包括运费. 2: 包邮不包括地方有：港澳台
F9540NIRF9540IRF9540NMOS效应直插三极管TO-220集成电路(IC)F9540N IRF9540 IRF9540N MOS场效应管直插三极管TO-220 价格：¥0.65 券后：¥0.65 发货地：广东深圳¥0.65元去购买参考https://cnblogs/byxzwz/p/10265739.html 跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。
∩ω∩ IRF9540N场效应管参数、引脚图和代换型号P沟道MOS管是指n型衬管底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。mos管工作原理及详解：P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分IRF9540N F9540N P 沟道MOS场效应管TO-220 原装深圳市君瑞迅科技有限公司6年月均发货速度：暂无记录广东深圳市福田区¥1.00 南麟供应NP1207DR 电子元器件8A/-12V场效应管PM
(=｀′=) 场效应MOS管F9540n参数PD最大耗散功率：140W ID最大漏源电流：23 V(BR)DSS漏源击穿电压：100V RDS(ON)Ω内阻：0.1Ω VRDS(ON)ld通态电流：11A VRDS(ON)栅极电压产品型号F9540N 品牌IR 封装TO-220 价格电询描述P沟道场效应管23A100V 查看资料F9540N 购买F9540N 产品说明产品种类：MOSFET RoHS: 详细信息技术：Si 安装风格：Through Hole 封装/ 箱体：TO-2
