50N06/TO-220F参数封装：点击查看50N06封装有TO-220F/TO-220F/TO-252 50N06场效应管参数如下：极性：NPN Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:60V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±2SMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A125W50nS0.023SMW11N20 NMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW11P20 PMOS GDS 功放
SW50N06T 747Kb/6PN-channel D-PAK/TO-220 MOSFET More results 类似说明- SW50N06 制造商部件名数据表功能描述Thinki Semiconductor CoFQP50N06 1Mb/6P50A,60V Heatsink Planar N-Channel P这款50N06场效应管产品具体参数：Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):50;BVdss(V):60。RDS (on) = 12mΩ(typ)@V GS =10V。内阻低，温升低的特点。若要介绍在电机调速
50N06规格书.doc,参数说明符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源反向电压BVDSS VGS=0V, ID=250μA 60 V 漏源截止电流IDSS VDS = 60V, VGS= 0V, TJ 电池管理系统Mosfet参数含义说明-50n06参数中文Vds:DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压Rds(on):DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻Id:最大DS电流.会随
∩▽∩ FHP50N06的主要封装形式是TO-220/ TO-252/TO-263 ,脚位排列位GDS。这款场效应管参数：Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):50;BVdss(V):60。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于逆变电源、FQP50N06参数场效应管代换使用型号：FHP50N06介绍FQP50N06场效应管参数的场效应管作为100W-12V输入的逆变器的重要组成部分，在对100W-12V输入的逆变器在实际使
60N03 80N03 30N06 50N06封装参数表工厂现货价格好Adopt advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gatMOS管型号：HG012N06L MOS管型号：HC037N06L参数：60V50A(50N06) 参数：60V30A(30N06)内阻：11mR(VGS=10V) 内阻：28mR(VGS=10V)结电容：550pF 结电容：650pF类型：SGT工艺NMOS 类型：SGT工艺NMOS开启电
