2,IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOS因此可以通过双脉冲测试，通过给定两个脉冲来测试IGBT的开关特性，进而对器件性能进行更准确的评估。一、双脉冲测试可以获得器件哪些真实参数？首先是获取开关管开关过程中的参数，可
?０? 3、igbt模块功率较大，底下有一些igbt芯片串，并联组成，可焊接，压接，或非螺栓固定内外部端子，但当大多数芯片只是并联，实现一条igbt功能时，还能够称为单管。q5:晶闸管和igbt的区别1MOS管和IGBT都是常见的开关管，常用在开关电源、变频器、电动汽车等的电路板中。IGBT和MOS管的特性很相似，驱动方法也基本相同，绝大多数场合它们都是作为电子开关来使用。从管脚来看，
IGBT关断是电流会拖尾，关断速度会减低；MOS就是MOSFET的简称了；IGBT和MOS是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控硅是半控器件，电流IGBT的输出特性分为3个区域：正向阻断区、有源区和饱和区，如图1(b)所示，与GTR的截止区、放大区和饱和区相对应。当UCE<0时，IGBT为反向阻断状态。在电力电子电路中，IGBT在开关状态工
IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。MOS管和IGBT的结构特点MOS可控硅也叫晶闸管，分双向和单向，单向可控硅也是单向导通，可以实现整流，但它通过控制导通角可以实现可控整流程IGBT:绝缘栅场效应晶体管，作用类似三极管，但在这里当开关管用(不能用
其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极型功率管，是由双极型三极管(BJT)和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功电流触发晶体管只能控制开启，不能控制关闭属于半可控件；电压触发MOS管、IGBT管既可以控制开启，也可以控制关断属于全可控件。搞懂控件的特点对电力电子器件维修尤为重要，小编根据
