3、igbt和mos管的区别(1)在结构上，MOSFET和IGBT看起来非常相似，实则不同。IGBT由发射极、集电极和栅极端子组成，而MOSFET由源极、漏极和栅极端子组成。IGBT的结构中有PN结，MOSFET没1、别名：可控硅是一种大功率半导体器件，常用做交流开关，触发电流>50毫安2、特点：体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大、耐高压、耐大电流、大功率3、主要应用领域：整流、
●＾● [最佳]IGBT焊机和MOS管有3点不同：一、两者的含义不同：1、IGBT焊机的含义：逆变过程需要大功率电子开关器件，采用绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。MOS管是场效应管，IGBT是复合管前管是场效应管，后管是NPN关，可控硅是二极管类，MOS管高阻输入，IGBT是高频大功率输出，可控硅可作交、直流开关，MOS管，IGBT只用
ˇωˇ 工作原理不同：MOS管的栅极电压控制通道电阻，从而控制漏极电流；而IGBT的控制极(门极)控制n型沟道的导电性质，从而控制集电极和发射极之间的导通电阻，从而控制集电极电流。导通电阻不从管脚来看，IGBT的3个管脚(正面)依次为栅极、集电极和发射极，MOS管的3个管脚(正面)依次为栅极、漏极和源极。从栅极管脚上可以看出，IGBT和MOS管都属于绝缘栅型管，而IGBT的另2个管脚“
