百度爱采购为您找到92条最新的35n06场效应管产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息，您还可以免费查询、发布询价信息等。30N06场效应管参数如下：极性：NPN Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:60V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:30A Continuous Dr
˙﹏˙ FQP30N06L是N-沟道增强型功率MOSFET,它是逻辑电平场效应晶体管，这意味着它可以通过使用微控制器的逻辑电平(3.3V或5V)完全打开。FQP30N06L MOSFET由于其低导通电阻、卓越的开关性能型号：HC012N06LS2 参数：60V 12A 类型：N沟道场效应管内阻11mR 低结电容1100pF 封装：贴片(SOP-8) 低开启电压1.8V 广泛用于电动车照明、汽车照明、汽车大灯、工
参数：60V30A(30N06) 内阻：30mR(VGS=10V) 结电容：650pF 类型：沟槽型NMOS 开启电压：1.8V 封装：TO-252 【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等【惠JFS MOS场效应管30N06 N沟道30A 60V 封装TO252 原厂现货深圳市福田区佳锋盛电子商行8年月均发货速度：暂无记录广东深圳市福田区¥0.45 成交1000PCS 全新30N06封装TO-
DE030NG-J替代30N06,国产功率MOS场效应管TO-252封装N管60V30A 型号：DE030NG-J 电压电流：60V30A N管封装：TO-252 内阻：30mΩ Description: This N-Channel MO型号：HC037N06LS 参数：60V 8A 类型：N沟道场效应管内阻31mR 低结电容650pF 封装：贴片(SOP-8) 低开启电压1.8V 广泛用于车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去
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