电压：220-400V 电流：100A 故障现象：两项模块击穿，指示灯不亮，没反应。维修思路：更换模块，修复主板开关电源部分。电力调整器SCR普通的控制部分比较简单，尤其是抄板，设计原可售卖地全国型号齐全上海萱鸿电子科技有限公司主要包括功率模块、IGBT模块、可控硅、整流桥、二极管、IGBT单管IGBT驱动电路和驱动板、单三相整流桥模块、IPM模块、PIM模块、GT
电流超过额定电流，并在可控硅芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，失效且不能恢复。过流击穿特征：电子元器件表面有烧焦现象，痕迹特征是芯片出现坑洞。选择可控硅耐压2~3倍。3)过热1、若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；2、如果测得T1-G之间的正
PN结的击穿分两种，分别是电击穿和热击穿，电击穿指的是雪崩击穿(低浓度)和齐纳击穿(高浓度),而这个电击穿主要是载流子碰撞电离产生新的电子-空穴对(electron-hole),所以它是可恢复的击穿后其实可以恢复，只是不要用力太猛。如果反向电压持续升高，当超过了UBR，即达到击穿电压临界点，这时
过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下，只要工150V左右，10分钟后电压自动上升到220v,这时可控硅的温度达到大约80~90°C,调整电阻没有任何反应，停电后，待可控硅温度下降，再次试验，可控硅依然可以正常控制电压，但是当温度上
o(?""?o 过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下，只要工作电流不超过可控硅额定电流是3.过热故障：这里的过热击穿是指在工作电流不超过晶闸管的额定电流的条件下的热击穿。造成这种故障的主要原因是晶闸管的辅助散热装置无法正常工作，这导致了可控硅芯片的高温。对于
