综上，场效应管和可控硅的区别就是：场效应管既可以放大信号，亦可以作为高速电子开关控制负载的通断，同时还可以实现调速、调光、调温等功能，而可控硅不能用来构第1点是场效应管与可控硅模块的集成度不一样从场效应管的构造能够发现它的构造相对而言比较简单，特别在制造工艺上要比可控硅模块简单很多，再加上其功耗小，噪
4、性能不同：场效应管只有多子参与导电；可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影可控硅(Thyristor) 和场效应管(Field-effect transistor, FET) 是两种不同类型的半导体控制元件，它们在控制电流方面有很大的不同。可控硅是一种三极半导体器
通过上述解析我们就可以知道，场效应管和可控硅的控制方式是不一样的，我们一般称场效应管为压控型器件，而可控硅则俗称流控型器件，就是跟他们的控制方式有关。从通过上面的分析我们可以知道，场效应管与晶闸管的控制方式是不同的，场效应管是电压控制其通断的半导体器件，我们称它是压控型器件；晶闸管的控制方式是由一定的电流值来触发晶闸管
?ω? 可控硅与场效应管的区别中结构也是大不相同的，现在来看看他们在结构上的区别。1、场效应管的结构与工作原理MOS场效应三极管分为：增强型(又有N沟道、P沟道之分)及耗尽型(分有N沟道2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏
