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型号:2SK117 类型:N沟道场效应管耗散功率(PD):0.3 W 漏极电流(ID):0.005 A 漏极和源极电压(VDSS):50 V 更多N沟道场效应管JCS4N60VFMV07N90EDHB100N03LSE60R125HTIRFS625TS752SK117数据表ic资料、集成电路资料、市场行情分销商、供应代理商由IC资料网提供,这里有2SK117批发TOSHIBA批量订购采购,东芝技术资料。

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