其电路如图1所示。硅二极管VD1~VD4构成一个桥式全波整流电路，电桥与电机串联在电路中，电桥对可控硅VS提供全波整流电压。当VS接通时，电桥呈现本电机串联的低阻电路。当图1中A即全导通状态；图示两种状态)当可控硅导通角α1 《180°时，电动机端电压波形如图实线所示，即非全导通状态，有效值减小；α1越小，导通状态越少，则电压有效值越小，所产生的磁场越小，则
⊙＾⊙ 1. 如七介绍，串连电源逆变电路中，负载线圈、调协电容和逆变可控硅都是串连在一个回路，可以直接检测线圈负载的变化和线圈电流的变化。如果电网电压在+/-10% 内图1-4 动静态均压加过压保护电路3.2、均压保护可控硅串联时，为了使每组可控硅上的电压分布均匀，必然回采用均压保护(如图1-4)。均压电阻的计算：注：RX为并联
如图1所示，一种串联可控硅驱动电路，包括多个串联的可控硅模块q1,可控硅模块q1包括第一输入端i1、第一控制端p1和第一输出端o1; 每两个相邻的可控硅模块qn中，前一个可控硅模块q栅极触发电流Igt的设定，应有足够的余量，要充分考虑低温最恶劣的环境，可控硅的结温特性确定了在低温下的Igt需求更大，如下图：栅极触发电流Igt的设定，还需考虑栅极触发电压Vgt的因素，
可控硅触发电路–脉冲信号电路图上图所示电路的操作与此类似，通过使用R两端的输出来驱动与变压器初级串联的晶体管Q,可以改善脉冲的宽度和上升时间。当来自UJT的脉冲施加到Q的基极1、控硅串联逆变器与并联逆变器相比，具有更多的优点：1、串联逆变电路流经感应器中的电流IL接近有功电流，因此Il很小，由Il在感应器电阻中造成的电损耗很小，经理
╯▽╰ 通常，5 V电源可以与6.2 V齐纳二极管一起运行，当达到齐纳二极管电压时，电流将流过齐纳二极管并触发可控硅或晶闸管。然后，这将提供对地短路，从而保护正在供电的电路免受任何损坏，并220v双向可控硅电路图(二) 电路见图。将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联.再将控制板与本触发电路连接，就组成了一个简单实用的大功率无级调速电路。这个电路的独特之处在于
