4.二极管表面由于存在漏电流，外加反向电压时，反向电流增大【两种材料的二极管比较】硅材料PN结平衡时耗尽层电势Uho比锗材料大，因此硅的开启电压较锗大。【受温度的影响】温度升电流相同时，二极管端电压大于PN结电压降。二极管只有在正向电压足够大时才能导通，这一电压称为开启电压U_{on}。温度升高时，二极管正向伏安特性曲线左移，反向伏安特性曲线下降(见上
￣□￣｜｜ 与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。导致内建电场强度小于硅。若想要PN结导通，外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场，对于硅材料，克服该电场需要0.6-0.8伏，对于锗材料克服该电
╯０╰ 所以SiC MOSFET的PN二极管的开启电压大概是3V左右，比较大，而且正向压降（Vf）也比较高。其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压——0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电流<0.1μA,锗的开启电压——0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十μA。2)主要参数最大
低开启电压：转弯硅二极管的接通电压介于0.2到0.3伏之间，而标准硅二极管的接通电压介于0.6到0.7伏之间。这使得它具有与锗二极管几乎相同的开启电压。快速恢复时间：最快由于存储电荷硅PN结正向压降为0.7V左右，锗PN结正向压降为0.3V左右，这个参数意味着什么呢？意味着锗比硅压降要小，压降小就意味着启动电压就小，启动电压小意味着供电电压就小，供电电压小意味着功
当然，工业领域之所以选择硅的原因还不仅仅在于价格。3、稳定性“硅”的稳定性相对来说比“锗”更高，尤其是它们的氧化物更是如此。二氧化硅是致密的绝缘体，且不溶于水。但氧化制造过程中容易形成二氧化硅绝缘层等。当然锗自身也有优点，比如电子的迁移率高，压降低，速度快，开启电
