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关键字：可控硅(605) 二、可控硅的主要技术参数1.正向阻断峰值电压(VPFU) 是指在控制极开路及正向阻断条件下，可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定类似文章更多插件单向可控硅单向可控硅单向可控硅应用电路单向可控硅和双向可控硅的识别测量怎样判断3ct20a单向可控硅的管脚单向可控硅的工作原理5分钟认识单向可控硅看完涨
⊙▽⊙ T1215的应用功能介绍、T1215参数、电路图、封装、管脚引脚图、DATASHEET,以及T1215的中文资料、代换替代型号、PDF手册等。1、可控硅参数符号说明：IT(AV)-通态平均电流VRRM-反向重复峰值电压IDRM-断态重复峰值电流ITSM-通态一个周波不重复浪涌电流VTM-通态峰值电压IGT-门极触发电流VGT-门极触发电压IH
∪▂∪ 可控硅有三个极---阳极（A）、阴极（K）和控制极（G），管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结1、可控硅参数(一)按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可
≥▽≤ 电容C的充电速度与R4、、W及C的乘积有关，所以调节W之值，即能改变电容C充电到U,值的时间.也就可以改变可控硅的导通时间，从而改变了负载上电压的大小。图3-32是一种利用可控硅做成的常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。额定正向平均电流4.在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值2, 可控硅的主要参数优派克EUPEC T系列可控硅、D系列二
