通过考虑下图所示的可控硅晶体管等效电路，可以更好地理解其背后的原因。在这里可以看出，在栅极端施加正电压时，晶体管Q 2导通，其集电极电流流入晶体管Q 1的基极。这导致Q 1导通，可控硅的工作原理(带图)一.可控硅是可控硅整流器的简称。它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。图3-29是它的结构、外形和图形符号。可控
可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成可控硅的主电路，可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电路。从可控硅的可控硅工作原理图及应用图解可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整
图中曲线I 为正向阻断特性。无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压(UB0);当有控制极信号时，正向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下导通),转折电压随控制极可控硅有三个极---阳极(A)、阴极(K)和控制极(G),管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制
